动态随机存取存储器_深圳市华美智芯科技有限公司

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深圳市华美智芯科技有限公司

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动态随机存取存储器

型号：

H5ANAG6NCJR-XNC

品牌：

HYNIX(海力士)

类目：

DRAM

包装：

160个/托盘

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产品信息

H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxxC是16Gb CMOS双数据速率IV
（DDR4）同步DRAM，非常适合需要大内存的主内存应用
密度和高带宽。SK海力士16Gb DDR4 SDRAM提供完全同步的操作
时钟的上升沿和下降沿。当所有地址和控制输入都锁存在CK的上升沿（CK的下降沿）时，对数据、数据选通和写入数据掩码输入进行采样
数据路径在其上升沿和下降沿都有。数据路径在内部是流水线的，并预取了8位

实现非常高的带宽。

通常，除非设备远离输入滤波器，否则不需要电容器
电容器；在这种情况下，需要输入旁路。
为了降低对输入线路阻抗的敏感度，可以使用0.1μF的磁盘或1μF的钽输入
建议使用旁路电容器（CI）。
调节端子可以被旁路到地以改善纹波抑制。这
电容器（CADJ）避免了输出电压升高时纹波的放大。10μF
在10V应用中，电容器在120Hz下应提高约80dB的纹波抑制。
虽然这些设备在没有任何输出电容的情况下是稳定的，但一些外部电容
值可能会导致过度响铃。1μF固体钽或25μF铝电解
输出电容器克服了这种影响，保证了稳定性

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