产品信息
JEDEC标准1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1.425V~1.575V）
?VDDQ=1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1.425V~1.575V）
?800Mb/sec/pin为400 MHz fCK，1066Mb/sec/pin为533MHz fCK，
667MHz fCK适用于1333Mb/sec/pin，800MHz fCK用于1600Mb/sec/pin
933MHz fCK，适用于1866Mb/sec/pin
?8家银行
?可编程CAS延迟（发布于CAS）：5,6,7,8,9,10,12,13
?可编程附加延迟：0、CL-2或CL-1时钟
?可编程CAS写入延迟（CWL）=5（DDR3-800），6
（DDR3-1066）、7（DDR3-1333）、8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）
?8位预取
?突发长度：8，4，tCCD=4，不允许无缝读取
或者写[使用A12或MRS即时]
?双向差分数据闪光灯
?内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准
（RZQ：240欧姆?1%）
?使用ODT引脚的管芯端接
?低于TCASE 85?C时的平均刷新期为7.8us，低于TCASE 95?C时为3.9us
85℃<t病例<95℃
?支持工业温度（-40?C至95?C）
-tREFI在-40?C≤TCASE≤85?C时为7.8us
-tREFI在85?C时为3.9us<TCASE≤95?C
?异步复位
?包装：96球FBGA-x16
?所有无铅产品均符合RoHS标准
?所有产品均不含卤素
4Gb DDR3 SDRAM电子管芯被组织为32Mbit x 16I/O x 8个存储体，
设备。该同步设备实现了高速双倍数据速率
一般应用的传输速率高达1866Mb/sec/pin（DDR3-1866）。
该芯片设计为符合以下关键DDR3 SDRAM功能，如张贴的CAS、可编程CWL、内部（自）校准、，
使用ODT引脚和异步复位的管芯端接。
所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）。所有I/O都与
以源同步方式的一对双向选通脉冲（DQS和DQS）。地址总线用于传输行、列和存储体地址
RAS/neneneba CAS多路复用方式的信息。DDR3设备运行
使用单个1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V）电源
以及1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V）VDDQ。
4Gb DDR3L电子管芯器件提供96球FBGA（x16）。
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